maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSB2200S-M3/54
Référence fabricant | VSB2200S-M3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-VSB2200S-M3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VSB2200S-M3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.23V @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSB2200S-M3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSB2200S-M3/54-FT |
RGP10KHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10ME-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel