maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSB2045Y-M3/73
Référence fabricant | VSB2045Y-M3/73 |
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Numéro de pièce future | FT-VSB2045Y-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VSB2045Y-M3/73 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 580mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.2mA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | 2050pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | P600, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | P600 |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSB2045Y-M3/73 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSB2045Y-M3/73-FT |
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel