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Référence fabricant | VS-VSKE320-12PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-VSKE320-12PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-VSKE320-12PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 320A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 3-MAGN-A-PAK™ |
Package d'appareils du fournisseur | MAGN-A-PAK® |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKE320-12PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-VSKE320-12PBF-FT |
VS-70HFR160M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFR20M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFR30
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFR40M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFR60M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFR80M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HF100M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HF120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HF140M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HFLR100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel