maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-VSKD56/06
Référence fabricant | VS-VSKD56/06 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-VSKD56/06 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-VSKD56/06 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10mA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ADD-A-PAK (3) |
Package d'appareils du fournisseur | ADD-A-PAK® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD56/06 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-VSKD56/06-FT |
MBRB25H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel