maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-VSKD236/16PBF
Référence fabricant | VS-VSKD236/16PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-VSKD236/16PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-VSKD236/16PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 115A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20mA @ 1600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 3-MAGN-A-PAK™ |
Package d'appareils du fournisseur | MAGN-A-PAK® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD236/16PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-VSKD236/16PBF-FT |
MBRB2545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel