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Référence fabricant | VS-T110HF80 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-T110HF80 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-T110HF80 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 110A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20mA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-55 T-Module |
Package d'appareils du fournisseur | D-55 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-T110HF80 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-T110HF80-FT |
CD214A-R1100
Bourns Inc.
CD214A-R11000
Bourns Inc.
CD214A-R11100
Bourns Inc.
CD214A-R11200
Bourns Inc.
CD214A-R11600
Bourns Inc.
CD214A-R1200
Bourns Inc.
CD214A-R1400
Bourns Inc.
CD214A-R150
Bourns Inc.
CD214A-R1600
Bourns Inc.
CD214A-R1800
Bourns Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel