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Référence fabricant | VS-RA160FA120 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-RA160FA120 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-RA160FA120 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 91A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.27V @ 100A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-RA160FA120 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-RA160FA120-FT |
VIT4060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT6045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT6045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-2TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ208B
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
Intel
5SGXEA5N1F45C1N
Intel
XC7VX415T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-4CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2LG
Intel
10AX057K1F35E1SG
Intel