maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-RA160FA120
Référence fabricant | VS-RA160FA120 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-RA160FA120 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-RA160FA120 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 91A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.27V @ 100A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-RA160FA120 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-RA160FA120-FT |
VIT4060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT6045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT6045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel