Référence fabricant | VS-P125 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-P125 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-P125 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Structure | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3) |
Nombre de SCR, Diodes | 2 SCRs, 2 Diodes |
Tension - état d'arrêt | 1.2kV |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | - |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | - |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 2V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 60mA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 357A, 375A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 130mA |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 8-PACE-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-P125 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-P125-FT |
VSKH430-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKL430-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKL500-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT500-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX110DF27I7N
Intel
EP4CGX75CF23I7N
Intel
10M50DCF256A7G
Intel
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
XC6VLX75T-L1FFG784I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
EP1C4F400C7N
Intel