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Référence fabricant | VS-P102W |
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Numéro de pièce future | FT-VS-P102W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-P102W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Structure | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Nombre de SCR, Diodes | 2 SCRs, 2 Diodes |
Tension - état d'arrêt | 600V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | - |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | - |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 2V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 60mA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 357A, 375A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 130mA |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 8-PACE-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-P102W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-P102W-FT |
VSKH430-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKL430-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKL500-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT500-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ETC144-1N
Intel
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG208
Microsemi Corporation
AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
EP3SL340H1152C4LN
Intel
EP4SE530H35I4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
EP4CGX150DF31C7N
Intel