maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-MUR3020WT-N3
Référence fabricant | VS-MUR3020WT-N3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-MUR3020WT-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-MUR3020WT-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 22ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MUR3020WT-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MUR3020WT-N3-FT |
MBRD650CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRD660CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRD660CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRD660CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURD620CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURD620CTTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURD620CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURD620CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CVH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CVH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel