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Référence fabricant | VS-MBRB735-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MBRB735-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-MBRB735-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 7.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 570mV @ 7.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacité @ Vr, F | 400pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRB735-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MBRB735-M3-FT |
VS-HFA15TB60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120SRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
Intel