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Référence fabricant | VS-MBR1635-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MBR1635-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-MBR1635-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 630mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 35V |
Capacité @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR1635-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MBR1635-N3-FT |
30ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH03
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Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA06TB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08TB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08TB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
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LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
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