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Référence fabricant | VS-MBR1100 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MBR1100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-MBR1100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 35pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR1100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MBR1100-FT |
RGP10KE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KEHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel