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Référence fabricant | VS-HFA08PB60-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-HFA08PB60-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
VS-HFA08PB60-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 55ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC Modified |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA08PB60-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-HFA08PB60-N3-FT |
8ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15TB60-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI10150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel