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Référence fabricant | VS-HFA08PB60-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-HFA08PB60-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
VS-HFA08PB60-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 55ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC Modified |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA08PB60-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-HFA08PB60-N3-FT |
8ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15TB60-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI10150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel