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Référence fabricant | VS-FC420SA10 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-FC420SA10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
VS-FC420SA10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 435A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.15 mOhm @ 200A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 750µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 375nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 17300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 652W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-FC420SA10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-FC420SA10-FT |
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A3P1000-FGG484T
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Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
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