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Référence fabricant | VS-EBU8006HF4 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-EBU8006HF4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-EBU8006HF4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 80A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.53V @ 80A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 8µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | PowerTab® |
Package d'appareils du fournisseur | PowerTab® |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-EBU8006HF4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-EBU8006HF4-FT |
VS-307UA250P4
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR250
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA250
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA250P4
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-309U160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-309U250
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX72A-FGG484A
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SEEBF45I3LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7S15-2CSGA225I
Xilinx Inc.
XA7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation