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Référence fabricant | VS-8TQ100-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-8TQ100-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-8TQ100-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 720mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 550µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ100-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-8TQ100-N3-FT |
15ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETL06
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETX06
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ050
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation