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Référence fabricant | VS-8TQ100-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-8TQ100-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-8TQ100-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 550µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ100-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-8TQ100-M3-FT |
RMPG06JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06KHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB020-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB020-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB030-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB030-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB040-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB040-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB040-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel