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Référence fabricant | VS-8EVH06-M3/I |
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Numéro de pièce future | FT-VS-8EVH06-M3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP® |
VS-8EVH06-M3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.4V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | SlimDPAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EVH06-M3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-8EVH06-M3/I-FT |
50WQ04FNTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
50WQ04FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
50WQ04FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
50WQ06FN
Vishay Semiconductor Diodes Division
50WQ06FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
50WQ06FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
50WQ10FN
Vishay Semiconductor Diodes Division
50WQ10FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
50WQ10FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8EWF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel