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Référence fabricant | VS-8ETH06-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-8ETH06-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-8ETH06-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.4V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8ETH06-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-8ETH06-M3-FT |
MCL101A-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL101B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL101B-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL101C-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL103A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL103A-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL103B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL103B-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL103C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL103C-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation