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Référence fabricant | VS-8ETH03STRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-8ETH03STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-8ETH03STRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 300V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8ETH03STRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-8ETH03STRR-M3-FT |
MBRB760-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel