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Référence fabricant | VS-85HFL10S05 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-85HFL10S05 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-85HFL10S05 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 85A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-85HFL10S05 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-85HFL10S05-FT |
VS-1N2137A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N2138RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3208R
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3209R
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3210R
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3211
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3211R
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3212R
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3213
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3214
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
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5SGXMA4H3F35I3N
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10AX066H4F34I3SG
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