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Référence fabricant | VS-6FR100M |
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Numéro de pièce future | FT-VS-6FR100M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-6FR100M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 19A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA (DO-4) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-6FR100M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-6FR100M-FT |
VS-12FLR20S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FLR40S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FLR40S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FLR60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FLR60S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FLR80S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FR100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FR100M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FR120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FR60
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel