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Référence fabricant | VS-6F100M |
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Numéro de pièce future | FT-VS-6F100M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-6F100M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 19A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA (DO-4) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-6F100M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-6F100M-FT |
VS-25F80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25F100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6F60
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25F120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12F100M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12F120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12F60M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12F80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
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EP3SL70F780C3
Intel