maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-63CTQ100-N3
Référence fabricant | VS-63CTQ100-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-63CTQ100-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-63CTQ100-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 820mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-63CTQ100-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-63CTQ100-N3-FT |
VE1045C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VE2045C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VE3045C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CTQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CTQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CTQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CTQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CTQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF484I4
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation