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Référence fabricant | VS-60EPS12PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-60EPS12PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-60EPS12PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.09V @ 60A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC Modified |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-60EPS12PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-60EPS12PBF-FT |
VS-15ETH03-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation