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Référence fabricant | VS-60EPF02-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-60EPF02-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-60EPF02-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 180ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC Modified |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-60EPF02-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-60EPF02-M3-FT |
VIT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT3080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT5200-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT760-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT760-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETH06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETL06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel