maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-43CTQ100-011HN3
Référence fabricant | VS-43CTQ100-011HN3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-43CTQ100-011HN3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-43CTQ100-011HN3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-43CTQ100-011HN3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-43CTQ100-011HN3-FT |
VT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR60100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1545CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel