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Référence fabricant | VS-40HFL10S02M |
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Numéro de pièce future | FT-VS-40HFL10S02M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-40HFL10S02M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 40A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 125A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AB (DO-5) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-40HFL10S02M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-40HFL10S02M-FT |
JANTXV1N5804
Microsemi Corporation
JANTXV1N5807
Microsemi Corporation
JANTXV1N5809
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JANTXV1N5809US
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JANTXV1N5811US
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JANTXV1N6074
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JANTXV1N6075
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LL4001G L0
Taiwan Semiconductor Corporation
LL4002G L0
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LL4003G L0
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A54SX08A-1TQG144I
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LFE2-12E-6T144I
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EX128-TQ100A
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XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
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EP1K100FC256-1
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XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
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LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation