maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-32CTQ025-N3
Référence fabricant | VS-32CTQ025-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-32CTQ025-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-32CTQ025-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 25V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 580mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.75mA @ 25V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-32CTQ025-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-32CTQ025-N3-FT |
UGE18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
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10M08DCV81C8G
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Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
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A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation