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Référence fabricant | VS-30WQ10FNTRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30WQ10FNTRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-30WQ10FNTRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30WQ10FNTRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30WQ10FNTRR-M3-FT |
VS-8EWH06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWL06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWL06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
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XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation