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Référence fabricant | VS-30WQ06FNTRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30WQ06FNTRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-30WQ06FNTRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 610mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 145pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30WQ06FNTRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30WQ06FNTRR-M3-FT |
VS-6EWX06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel