maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-30WQ06FNTRL-M3
Référence fabricant | VS-30WQ06FNTRL-M3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-30WQ06FNTRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-30WQ06FNTRL-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 610mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 145pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30WQ06FNTRL-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30WQ06FNTRL-M3-FT |
VS-6EWX06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel