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Référence fabricant | VS-30ETH06STRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30ETH06STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-30ETH06STRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.6V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30ETH06STRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30ETH06STRR-M3-FT |
MBRB1660-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB745-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel