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Référence fabricant | VS-30EPF12-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30EPF12-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-30EPF12-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.41V @ 30A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC Modified |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30EPF12-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30EPF12-M3-FT |
VS-ETU3006-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
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LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
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EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
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