maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-30BQ040-M3/9AT
Référence fabricant | VS-30BQ040-M3/9AT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-30BQ040-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-30BQ040-M3/9AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 530mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 230pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | SMC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30BQ040-M3/9AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30BQ040-M3/9AT-FT |
RS3KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel