maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-2EMH02-M3/5AT
Référence fabricant | VS-2EMH02-M3/5AT |
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Numéro de pièce future | FT-VS-2EMH02-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-2EMH02-M3/5AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | SMA (DO-214AC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EMH02-M3/5AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-2EMH02-M3/5AT-FT |
SS15-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
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EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
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LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation