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Référence fabricant | VS-20ETS12-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-20ETS12-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-20ETS12-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETS12-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-20ETS12-M3-FT |
VS-STPS30L60CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPH06P-S1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APH03-N-S1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APU04HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APU06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80APS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APH3006-F3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APH3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APH3006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation