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Référence fabricant | VS-20ETF06STRRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-20ETF06STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-20ETF06STRRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 120ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF06STRRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-20ETF06STRRPBF-FT |
UGB5JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB5JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel