maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-20CTQ045STRL-M3
Référence fabricant | VS-20CTQ045STRL-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-20CTQ045STRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-20CTQ045STRL-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 640mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20CTQ045STRL-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-20CTQ045STRL-M3-FT |
VBT3045C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
10M08DCF256I7G
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
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XC7A50T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
EP20K160EQC240-3
Intel
EPF10K10QI208-4N
Intel