maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-1N3766R
Référence fabricant | VS-1N3766R |
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Numéro de pièce future | FT-VS-1N3766R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-1N3766R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 110A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4mA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 190°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N3766R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-1N3766R-FT |
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division
FCSP140ETR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1183A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1184RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1186A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HF160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1184
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1186
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3210
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1184A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel