maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-1N1199A
Référence fabricant | VS-1N1199A |
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Numéro de pièce future | FT-VS-1N1199A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-1N1199A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 12A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 200°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N1199A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-1N1199A-FT |
VS-1N1202RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1203A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1204RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1205A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3670A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3672A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3673RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3879
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel