maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-18TQ035S-M3
Référence fabricant | VS-18TQ035S-M3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-18TQ035S-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-18TQ035S-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 18A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 18A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5mA @ 35V |
Capacité @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-18TQ035S-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-18TQ035S-M3-FT |
VS-10ETF12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel