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Référence fabricant | VS-16FL10S02 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-16FL10S02 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-16FL10S02 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 200ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16FL10S02 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-16FL10S02-FT |
130HFR80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
150L40A
Vishay Semiconductor Diodes Division
150LR5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N3085
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HF120PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HF40PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HF80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HFR120PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HFR40PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HFR80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel