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Référence fabricant | VS-16FL100S10 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-16FL100S10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-16FL100S10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA (DO-4) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16FL100S10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-16FL100S10-FT |
1N3087R
Vishay Semiconductor Diodes Division
130HFR80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
150L40A
Vishay Semiconductor Diodes Division
150LR5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N3085
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HF120PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HF40PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HF80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HFR120PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HFR40PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
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5AGXBA5D4F27C4N
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EP2SGX60EF1152C3N
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