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Référence fabricant | VS-16F120M |
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Numéro de pièce future | FT-VS-16F120M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-16F120M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.23V @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 29ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA (DO-4) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16F120M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-16F120M-FT |
VS-SD200R20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD200R24PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD200N20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N3087R
Vishay Semiconductor Diodes Division
130HFR80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
150L40A
Vishay Semiconductor Diodes Division
150LR5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N3085
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HF120PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
200HF40PV
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel