maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-16CTQ100GPBF
Référence fabricant | VS-16CTQ100GPBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-16CTQ100GPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-16CTQ100GPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 280µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16CTQ100GPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-16CTQ100GPBF-FT |
U16BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U16CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U16DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U20BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U20CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U20DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U30BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U30CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U30DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF10BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel