maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-16CTQ080G-1PBF
Référence fabricant | VS-16CTQ080G-1PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-16CTQ080G-1PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-16CTQ080G-1PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 280µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16CTQ080G-1PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-16CTQ080G-1PBF-FT |
VI20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
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Intel