maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-16CTQ060-N3
Référence fabricant | VS-16CTQ060-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-16CTQ060-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-16CTQ060-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 550µA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16CTQ060-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-16CTQ060-N3-FT |
SBL25L25CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL25L25CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL25L30CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
U10BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U10CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U10DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U16BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U16CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U16DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
U20BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel