maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-15CTQ045STRR-M3
Référence fabricant | VS-15CTQ045STRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-15CTQ045STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-15CTQ045STRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 7.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 7.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 800µA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-15CTQ045STRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-15CTQ045STRR-M3-FT |
VBT1060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1545CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1545CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel